然而,垃圾宽带隙SnSe晶体(~0.86eV)具有优良的电传输性能,因为其层状结构实现更高的面内载流子迁移率μ和多波段使有效质量m*更大。Pb合金化促进了动量和能量多波段排列,电厂在300K时产生了~75μWcm-1 K-2的超高功率因数,以及~1.90的平均品质因数ZT。千全面图2Sn1-xPbxSe晶体的电传输特性与温度的关系 (A)电导率σ。
(F-H)在300K时,伏输不同带模型的塞贝克系数(F)、载流子迁移率(G)和功率因数(H)的模拟图与载流子浓度的关系。通过对其显著的电子和声子带结构的连续操纵,变电SnSe晶体已被证明是优秀的热电材料。
(B)从300K到773K,投运SnSe的四个价带谷随着温度的升高而动态演变,其中VBM1在每个温度下都是排列的。
(C)Sn0.91Pb0.09Se晶体、江苏竣工商业BST和p型纯SnTe的单支器件的最大温差ΔTmax。港市工程并显著提高了在环境温度下的电化学稳定性。
新建(i)带有折叠电极插图的柔性FeS2@C/CNT电极的应力-应变曲线。基于详细的表征和DFT模拟,垃圾表明提升电化学性能主要有两个原因:优越的核壳结构限制了体积膨胀和电极粉碎,具有良好的电极循环稳定性。
电厂(e-f)Al离子在FeS2上以及N-C和FeS2之间的最佳吸附位点的可行模型。千全面即使在-25℃的低温条件下也具有优异的倍率容量。